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  • PT124G-3500OEM單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500OEM單晶硅差壓傳感器 簡(jiǎn)要描述:PT124G-3500-55/55D系列OEM單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測(cè)壓膜盒和信號(hào)處理模塊,是基于被測(cè)壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過(guò)集成電路監(jiān)測(cè)該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。
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    更新日期

    2022-02-27
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  • PT124G-3500不銹鋼單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500不銹鋼單晶硅差壓傳感器 簡(jiǎn)要描述:PT124G-3500-55/55D系列不銹鋼單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測(cè)壓膜盒和信號(hào)處理模塊,是基于被測(cè)壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過(guò)集成電路監(jiān)測(cè)該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。
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  • PT124G-3500哈氏合金單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500哈氏合金單晶硅差壓傳感器 簡(jiǎn)要描述:PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測(cè)壓膜盒和信號(hào)處理模塊,是基于被測(cè)壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過(guò)集成電路監(jiān)測(cè)該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。
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  • PT124G-3500單晶硅壓力傳感器
    PT124G-3500單晶硅壓力傳感器 簡(jiǎn)要描述:PT124G-3500-60/60J單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片,具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊,能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償,能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。
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  • PT124G-3500OEM單晶硅壓力傳感器
    PT124G-3500OEM單晶硅壓力傳感器 簡(jiǎn)要描述:PT124G-3500-60/60J OEM單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片,具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊,能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償,能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。
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  • PT124G-3500MEMS技術(shù)單晶硅壓力傳感器
    PT124G-3500MEMS技術(shù)單晶硅壓力傳感器 簡(jiǎn)要描述:PT124G-3500-60/60JMEMS技術(shù)單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片,具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊,能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償,能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。
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